Samsung startet Massenproduktion des neuen 10-Nanometer DRAM

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Samsung Electronics gab heute bekannt, mit der Massenproduktion der ersten 2nd-Generation 10-Nanometer 8-Gigabit (Gb) DDR4-DRAM begonnen zu haben.

Der neue 8 Gb DDR4 soll zukünftig in einer Vielzahl von Computersystemen zum Einsatz kommen und hohe Leistung bei sehr guter Energieeffizienz liefern. Dabei ist der Chip sehr klein.

Durch einen schnellen Aufbau der Produktion des 10nm-DRAMs der zweiten Generation werden wir unsere gesamte 10nm-DRAM-Produktion aggressiver ausbauen, um der starken Marktnachfrage gerecht zu werden und unsere Wettbewerbsfähigkeit weiter zu stärken.

Samsungs 2nd-Generation 10nm-Klasse 8Gb DDR4 verfügt über eine Produktivitätssteigerung von ca. 30 Prozent gegenüber der ersten Generation 10nm-Klasse 8Gb DDR4 des Unternehmens. Darüber hinaus wurden die Leistungsdaten und die Energieeffizienz des neuen 8Gb DDR4 um 10 bzw. 15 Prozent verbessert.

Der neue Chip kann mit 3.600 Megabit pro Sekunde (Mbps) pro Pin betrieben werden, verglichen mit 3.200 Mbps der 1x-nm 8Gb DDR4. In den Zellen des DRAMs ermöglicht zudem ein neu entwickeltes Datenerfassungssystem eine genauere Bestimmung der in jeder Zelle gespeicherten Daten.

Der neue DRAM der 10nm-Klasse nutzt auch einen laut Samsung „einzigartigen“ Luftspalt, der um seine Bitleitungen herum platziert wurde, um die „parasitäre Kapazität“ drastisch zu verringern. Was das ist, erklärt Samsung wie folgt:

Parasitäre Kapazität ist eine unerwünschte Kapazität, die zwischen den Teilen einer elektronischen Schaltung oder eines elektronischen Bauteils aufgrund ihrer Nähe zueinander besteht. Wenn zwei elektrische Leiter mit unterschiedlichen Spannungen zu nahe beieinander liegen, werden sie durch das elektrische Feld des jeweils anderen negativ beeinflusst und speichern entgegengesetzte elektrische Ladungen, wie sie z.B. von einem Kondensator erzeugt werden.

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