Qualcomm Snapdragon 835 wird von Samsung im 10nm-Verfahren produziert

Im Rahmen des Snapdragon Technology Summit gab Qualcomm erste Informationen zu seinem kommenden Flaggschiff-SoC Snapdragon 835 bekannt. Produziert wird dieser in Zusammenarbeit mit Samsung, was die Fertigung im 10nm FinFET-Verfahren erlaubt.

Zwar wurden von Qualcomm auf dem Snapdragon Technology Summit noch keine genaueren Angaben zu den Spezifikationen des kommenden Snapdragon 835 angekündigt, bekannt ist ab sofort jedoch, dass man für die Fertigung mit Samsung zusammenarbeiten wird. Der koreanische Hersteller wird den High-End-SoC für das kalifornische Unternehmen im 10nm FinFET-Verfahren produzieren, welches viele Vorteile mit sich bringt.

Da der Snapdragon 835 dank dem neuartigen Verfahren kleiner gefertigt werden kann, ergibt sich für die Smartphone-Hersteller mehr Platz im Inneren der Geräte, welcher bislang vom SoC belegt war. Des Weiteren könnte der Prozessor trotz des Rückgangs in der Größe eine um bis zu 40 Prozent verbesserte Effizienz und eine maximal 27 Prozent höhere Performance besitzen. Dabei handelt es sich momentan selbstverständlich nur um Optimalwerte, welche Samsung in der eigenen Pressemitteilung nennt und daher nicht erfüllt werden müssen.

Da sich der Snapdragon 835 bereits in der Produktion befindet, dürften wir schon bald nähere Informationen zu den Spezifikationen des SoCs erhalten. Erste Geräte, in denen der Prozessor verbaut sein wird, können wir in der ersten Jahreshälfte 2017 erwarten.

[quelle]Quelle: Samsung via: AndroidCentral[/quelle]